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J-GLOBAL ID：202202295639103980   整理番号：22A1173424

Schottky障壁二重ゲートベースp-IMOSの設計と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Design and characterization of Schottky barrier double gate based p-IMOS

著者 (2件)： Khajavi Shahrzad (School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran) ,  Karami Mohammad Azim (School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran)
資料名： Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)
巻： 96  号： 5  ページ： 1481-1487  発行年： 2022年 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,サブ閾値スイング(SS),ゲート閾値電圧(V_GT),および動作電圧(V_Op)を有するSchottky障壁二重ゲート衝撃イオン化金属酸化物半導体(SBDG-IMOS)トランジスタを紹介した。提案したトランジスタは,デバイスシミュレーションにより検証したON/OFF電流比1.3×107で,約1桁のON電流増強から利益を得た。二重ゲート構造とケイ化物タイプ源の使用は,チャネル内のより高い電場と固有領域の衝撃イオン化速度を増強する固有領域をもたらす。したがって,1.27Vのゲート閾値電圧と1.9mV/decのSSを有する急峻な電流-電圧特性を達成した。ソースにおけるケイ化物使用によるソース領域における寄生抵抗低減によると,ソースとドレインの間のより高い電圧差は,固有領域で電場を強化する固有領域にわたって現れ,アバランシェ破壊を開始するソース-ドレイン電圧は7.7Vに低下する。Copyright Indian Association for the Cultivation of Science 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  電圧 ,  電場 ,  電流 ,  トランジスタ ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  ケイ化物 ,  衝突イオン化 ,  *ゲート【半導体】
準シソーラス用語： *二重ゲート ,  閾値電圧 ,  デバイスシミュレーション ,  サブ閾値スイング ,  ドレイン電圧 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 衝撃イオン化金属酸化物半導体(IMOS) ,  Schottky障壁 ,  二重ゲート ,  サブ閾値スイング

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  波動方程式の解法,散乱理論  (BA06020N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Schottky障壁 ,  二重ゲート ,  設計 ,  特性評価