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J-GLOBAL ID:202202296702530254   整理番号:22A0554117

CMOSレベル動作電圧と低接触抵抗を有する電気-熱駆動不揮発性機械メモリ【JST・京大機械翻訳】

Electro-Thermally Actuated Non-Volatile Mechanical Memory With CMOS-Level Operation Voltage and Low Contact Resistance
著者 (5件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 87-96  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0357A  ISSN: 1057-7157  CODEN: JMIYET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CMOSレベルの動作電圧と低い接触抵抗を有する非揮発性機械的メモリデバイスを,初めて電気-熱作動法を用いて提案した。微小電気機械システム(MEMS)デバイスにおける最も広く用いられている静電作動法とは異なり,電気-熱作動は,機械メモリの好ましい属性である,低い動作電圧で大きな作動力および変位を生じることが知られている。さらに,2つの表面間の不変の永久接着を参照するMEMSデバイスの最も注目すべき故障メカニズムの1つを,電力なしでON状態を保持することにより,機械的メモリのエネルギー効率を著しく改善するために利用できる。著者らは,電気-熱作動とスティクションを利用して,CMOSレベル電圧による書き込みと消去操作の多重サイクルを実行できる非揮発性機械メモリデバイスを考案した。作製した電気-熱駆動機械メモリは,それぞれ0.9Vと1.0Vで200回の繰り返しサイクルと消去操作を遂行した。電気熱作動により発生する高い接触力のおかげで,作製したデバイスは17Ωの接触抵抗を達成した。最後に,作製したデバイスが106秒を超える電力の除去でONとOFF状態の両方をうまく保持することを確認した。[2021-0178]Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  継電器・スイッチ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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