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J-GLOBAL ID：202202297694506163   整理番号：22A0573473

低コスト化学経路により容易に合成されたPbSナノ構造の誘電及び電気特性の増強:Ceドーピング濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

Enhanced dielectric and electrical properties of PbS nanostructures facilely synthesized by low-cost chemical route: An effect of Ce doping concentrations

著者 (12件)： Shkir Mohd (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Shkir Mohd (School of Science and Technology, Glocal University, Saharanpur, 247001, Uttar Pradesh, India) ,  Chandekar Kamlesh V. (Department of Physics, Rayat Shikshan Sanstha’s, Karmaveer Bhaurao Patil College, Vashi, Navi, Mumbai, 400703, India) ,  Hossain Md Milon (Department of Textile Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, 9203, Bangladesh) ,  Hossain Md Milon (Department of Textile Engineering, Chemistry and Science, North Carolina State University, North Carolina, 27606, USA) ,  Palanivel Baskaran (Department of Physics, Kings Engineering College, Sriperumbudur, Kancheepuram, 602117, Tamil Nadu, India) ,  Ahmad Nafis (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Ashraf I.M. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Ashraf I.M. (Physics Department, Faculty of Science, Aswan University, Aswan, 81511, Egypt) ,  Somaily H.H. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Algarni H. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  AlFaify S. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 278  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,CeドープPbSナノ構造(Ce@PbS NS)の容易な調製と特性評価を示した。相分析をX線回折によって研究し,CeClS相ピークと共にPbSの主要な立方晶相を承認した。振動解析により,最終生成物のPbSの主要な立方晶相を確認した。EDX/SEM e-マッピングは,PbSに均一性を有するCeドーピングを示した。SEM分析は,それぞれの純粋およびドープしたPbSにおいて,いくつかのナノフレークと共にナノ粒子の明確な形態を与える。光学的研究は,Ce含有量1.45eV(純PbS)から1.084eV(2.5wt%Ce@PbS)までのPbSのエネルギーギャップ値の変化を明らかにし,また,純粋およびドープPbS NSにおいて,他のエネルギーギャップは3~3.5eVの間で変化した。静電容量とインピーダンスを広い周波数領域で研究した。PbSの誘電率はCe含有量添加で17.5から24.5に改善された。ac電気伝導率はPbS中のCe含有量添加で改善された。dc-電気伝導率の改善もPbSへのCe添加で注目された。改善された誘電および電気特性は,合成したCe@PbS NSを光電子で有用にする。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  インピーダンス ,  エネルギーギャップ ,  電気伝導率 ,  *濃度 ,  誘電率 ,  *セリウム ,  *ドーピング ,  静電容量 ,  *電気特性 ,  立方晶系 ,  *硫化鉛 ,  *ナノ構造 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： ナノフレーク , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ce@PbS NS ,  構造特性 ,  光学特性 ,  誘電特性 ,  I-V電気特性

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩  (CD01050V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低コスト化 ,  経路 ,  PbS ,  ナノ構造 ,  電気特性 ,  増強 ,  Ce ,  ドーピング