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J-GLOBAL ID：202202299825404076   整理番号：22A0561804

ABおよびAA積層秩序の二層MoSe_2への金-金属相互作用に関する第一原理洞察【JST・京大機械翻訳】

First-principal insight of the gold-metal interaction to bilayer MoSe₂ of AB and AA stacking order

著者 (2件)： Ghosh Subir Kumar (Department of Electronics and Tele-Communication Engineering, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Somvanshi Divya (Department of Electronics and Tele-Communication Engineering, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 342  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元(2D)二層(2L)半導体は,積層順序のような付加的自由度のため次世代電子デバイス応用にとって興味深い。しかし,異なる積層順序の2L半導体への金属の相互作用に関する報告はまだ報告されていない。ここでは,密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,金(Au)金属とABおよびAA積層秩序の2L-MoSe_2との相互作用を比較した。2L-MoSe_2では,最も安定な構造は2Hと3R相を持ち,これはABとAA積層順序に対応する。Auと2L-(ABとAA)MoSe_2半導体間の相互作用の性質を明らかにするために,Schottky障壁高さ(Φ_SB,n),トンネル障壁(Φ_TB,n)と軌道重なりを計算した。キャリア注入(低いΦ_SB,n,Φ_TB,n)とより高い軌道重なりにより,Au/2L-AA MoSe_2はAu/2L-AB MoSe_2に比べてより良い代替となることを見出した。この知見は,高性能2D電子デバイスのための2L材料の積層順序の選択のための理論的指針を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  *金属 ,  *相互作用 ,  半導体 ,  *金 ,  二次元 ,  キャリア注入 ,  自由度 ,  密度汎関数法 ,  第一原理
準シソーラス用語： トンネル障壁 ,  電子素子 ,  二層 ,  Schottky障壁高さ ,  積層順序 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  二層 ,  Schottky障壁 ,  トンネル障壁 ,  積み重ね順序

分類 (5件)： 磁性理論  (BM06020X) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  金 ,  相互作用 ,  第一原理 ,  洞察