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J-GLOBAL ID：202202299934413823   整理番号：22A0971907

二次元バイオレットリン:(Opto)エレクトロニクスのためのp型半導体【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Violet Phosphorus: A p-Type Semiconductor for (Opto)electronics

著者 (4件)： Ricciardulli Antonio Gaetano (University of Strasbourg, CNRS, ISIS UMR 7006, France) ,  Wang Ye (University of Strasbourg, CNRS, ISIS UMR 7006, France) ,  Yang Sheng (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Samori Paolo (University of Strasbourg, CNRS, ISIS UMR 7006, France)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 144  号： 8  ページ： 3660-3666  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状系の剥離による前例のない組成と構造を示す新しい二次元(2D)材料の合成は,非チャート特性へのアクセスを提供する。オプトエレクトロニックへの応用のために,剥離した2D半導体の大部分はn型またはより稀な両極性特性を有する。p型2D半導体の不足は,相補的金属酸化物半導体(CMOS)およびCMOS応用を超える2Dデバイスの広範な工学を非常に妨げる。しかし,直接合成またはp-ドーピング戦略によるp型挙動に付与された2D材料の開発における最近の進歩にもかかわらず,新しい構造を見つけることは,まだ第一に重要である。ここでは,数層厚さのフレークへのバイオレットリン(VP)結晶の超音波処理支援液相剥離と,それらの電気的および光学的特性の最初の探索について報告する。剥離したVP薄膜に基づく電界効果トランジスタは,室温でI_on/I_off比104,正孔移動度2.25cm2V-1s-1のp型輸送特性を示した。さらに,VP膜ベース光検出器は10mAW-1の光応答性(R)と0.16sまでの応答時間を示した。最後に,CMOSインバータアレイに埋め込まれたVPは,約17の電圧利得を示した。このスケーラブルな製造方法および優れたオプトエレクトロニック性能と組み合わせた剥離した材料の高品質は,VPを,次世代のMoore(opto)-エレクトロニクスのための,VPと多用途のp型候補にする。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  光学的性質 ,  薄膜 ,  *半導体 ,  光検出器 ,  ドーピング ,  液相 ,  *P型半導体 ,  *電子技術 ,  化学合成 ,  *二次元 ,  CMOS
準シソーラス用語： 光応答 ,  輸送特性 ,  電圧利得 ,  正孔移動度 ,  直接合成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (2件)： エレクトロニクス ,  P型半導体