特許
J-GLOBAL ID：202203001008781138

ハイブリッド構造を製造するための方法

発明者：
ディディエ ランドリュ

ディディエ ランドリュ について


出願人/特許権者：
ソイテック

ソイテック について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-520188
特許番号：特許第6985260号
出願日： 2016年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 支持厚さと、有効層(20)の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数とを有する、支持基板(1)上に配置された、有効厚さを有する圧電材料の前記有効層(20)を有する、ハイブリッド構造(60)を製造する方法であって、前記方法は、 a)圧電材料のドナー基板(2)と、前記支持基板(1)とを備える、接合された構造(6)を提供するステップであって、前記接合された構造(6)は、前記支持基板(1)とドナー基板(2)との間に接合界面(5)を有する、ステップと、 b)前記支持基板(1)上に配置された、中間厚さを有する、薄化された層(2’)を形成するために、前記ドナー基板(2)を薄化する、第1のステップであって、全体が、薄化された構造(6’)を形成する、第1のステップと、 c)アニーリング温度における前記薄化された構造(6’)の熱処理ステップと、 d)前記熱処理ステップc)の後の、前記有効層(20)を形成するための、前記薄化された層(2’)の第2の薄化ステップとを含み、 前記方法は、前記第1のステップb)の前に、前記熱処理ステップc)中における前記薄化された構造(6’)の前記熱処理ステップ後の劣化を回避する中間厚さの範囲を決定するステップa’)であって、前記範囲は、閾値厚さと、最大厚さとによって定義され、前記薄化された層(2’)の前記中間厚さは、前記範囲内において選択される、ステップa’)を含むことを特徴とする 前記ハイブリッド構造(60)を製造する方法。
IPC (7件)：
H03H 3/08 ( 200 6.01) ,  H03H 9/25 ( 200 6.01) ,  H01L 41/313 ( 201 3.01) ,  H01L 41/337 ( 201 3.01) ,  H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/09 ( 200 6.01) ,  H01L 41/332 ( 201 3.01)
FI (7件)：
H03H 3/08 ,  H03H 9/25 C ,  H01L 41/313 ,  H01L 41/337 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/332
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM