特許
J-GLOBAL ID：202203001259942980
紫外線発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
田中 秀▲てつ▼
, 森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-147116
公開番号（公開出願番号）：特開2022-041738
出願日： 2020年09月01日
公開日（公表日）： 2022年03月11日
要約：
【課題】高い発光強度を有する紫外線発光素子を得る。
【解決手段】紫外線発光素子は、Alを含む窒化物半導体を含む基板と、基板上に配置され、AlおよびGaを含む第1導電型窒化物半導体層と、第1導電型窒化物半導体層上に配置され、AlおよびGaを含む窒化物半導体を含む発光層と、発光層上に配置され、第1導電型窒化物半導体層と異なる導電型を有する第2導電型窒化物半導体層と、を備えている。第2導電型窒化物半導体層は、Mgを含み、第2導電型窒化物半導体層におけるMgの濃度は、8×10
19
cm
-3
以上1×10
21
cm
-3
以下であり、かつ層厚が1nm以上20nm以下である。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Alを含む窒化物半導体を含む基板と、
前記基板上に配置され、AlおよびGaを含む第1導電型窒化物半導体層と、
前記第1導電型窒化物半導体層上に配置され、AlおよびGaを含む窒化物半導体を含む発光層と、
前記発光層上に配置され、前記第1導電型窒化物半導体層と異なる導電型を有する第2導電型窒化物半導体層と、
を備え、
前記第2導電型窒化物半導体層は、Mgを含み、前記第2導電型窒化物半導体層における前記Mgの濃度は、8×10
19
cm
-3
以上1×10
21
cm
-3
以下であり、かつ膜厚が1nm以上20nm以下である
紫外線発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F241AA03
, 5F241AA21
, 5F241CA04
, 5F241CA05
, 5F241CA40
, 5F241CA49
, 5F241CA57
, 5F241CA60
, 5F241CA64
, 5F241CA65
, 5F241CA66
, 5F241CA73
, 5F241CA74
, 5F241CA76
, 5F241CA85
, 5F241CA87
, 5F241CB03
, 5F241CB15
, 5F241FF16
