特許

J-GLOBAL ID：202203001649875817

半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置

発明者： 藤野 純司 ,  林 啓 ,  石川 悟 ,  巽 裕章 ,  伊波 康太
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 村上 加奈子 ,  松井 重明 ,  倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-142301
公開番号（公開出願番号）：特開2022-038019
出願日： 2020年08月26日
公開日（公表日）： 2022年03月10日
要約：

【課題】放熱部材の反りを低減し、信頼性を向上することができる半導体装置を得る。 【解決手段】半導体装置100は、Al製の放熱部材1と、放熱部材1の基板部1a上に設けられた金属層としてのCu製の銅箔10と、銅箔10上にはんだ11を介してCu製の第1導体層2bが接合された配線基板2と、配線基板2の第2導体層2c上にはんだ3を介して接合された半導体素子4と、を備える。銅箔10の厚さは、放熱部材1の基板部1aの厚さの50%以下である。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Al又はAl合金で形成された基板部を有する放熱部材と、 前記放熱部材の前記基板部上に設けられ、Cu若しくはCu合金、又は、Ni若しくはNi合金で形成された金属層と、 前記金属層上に設けられた第1接合材と、 前記第1接合材上に設けられ、少なくとも前記金属層側の表層がCu若しくはCu合金、又は、Ni若しくはNi合金で形成された第1導体層、前記第1導体層上に設けられた絶縁層、及び、前記絶縁層上に設けられた第2導体層を有する配線基板と、 前記配線基板の前記第2導体層上に第2接合材を介して接合された半導体素子と、を備え、 前記金属層の厚さは、前記放熱部材の前記基板部の厚さの50%以下であること を特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/40

FI (1件)：

H01L23/40 F

Fターム (6件)：

5F136BA06 ,  5F136BB04 ,  5F136DA08 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ヒートシンクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114453   出願人：住友金属工業株式会社