特許

J-GLOBAL ID：202203001705648233

露出した端子領域を有する樹脂封止パワー半導体モジュール

発明者： モーン,ファビアン
出願人/特許権者： ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：EP2018061017
特許番号：特許第7030844号
出願日： 2018年04月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 パワー半導体モジュール(10)であって、 金属化層(18)を有する基板(12)と、 前記基板(12)に接着された少なくとも1つのパワー半導体チップ(14)と、 前記半導体チップ(14)および前記基板(12)を部分的に封止する成形封止部(26)とを備え、前記成形封止部(26)は、前記金属化層(18)の端子領域(38,40)を露出させる少なくとも1つの窓(36)を備え、前記パワー半導体モジュール(10)はさらに、 端部(58)が前記端子領域(40)に接着されたパワー端子(54)を備え、 前記成形封止部(26)は、前記半導体チップ(14)を封止する中央部(32)を備え、 前記窓(36)と前記基板(12)の境界(28)との間の前記成形封止部(26)の境界部(34)は、前記成形封止部(26)の前記中央部(32)の基板(12)上方最大高さよりも小さな基板(12)上方高さを有し、 前記パワー端子(54)の一部(56)は、前記基板(12)に平行な方向に前記境界部(34)の上方に突き出ていることにより、前記一部(56)の基板(12)上方垂直高さは、前記成形封止部(26)の前記中央部(32)の前記最大高さよりも小さい、パワー半導体モジュール(10)。

IPC (6件)：

H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 21/56 ( 200 6.01) ,  H01L 23/36 ( 200 6.01) ,  H01L 23/473 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 23/46 Z ,  H01L 23/12 K