特許

J-GLOBAL ID：202203002204707686

電流注入有機半導体レーザダイオード、その作成方法及びプログラム

発明者： サンダナヤカ サンガランゲ ドン アトゥラ ,  松島 敏則 ,  ベンシュイク ファティマ ,  合志 憲一 ,  リビエル ジャン チャールズ ,  安達 千波矢 ,  藤原 隆
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  株式会社KOALA Tech
代理人 (1件)： 弁理士法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-162035
公開番号（公開出願番号）：特開2022-188224
出願日： 2022年10月07日
公開日（公表日）： 2022年12月20日
要約：

【課題】レーザ発振電流注入OSLDを提供すること。 【解決手段】1対の電極と、光共振器構造と、有機半導体を含む光増幅層を含む1つ以上の有機層とを含み、レーザ光を放射するために電流注入中の励起子密度分布と共振光モードの電界強度分布の十分な重なりを有する電流注入有機半導体レーザダイオードが開示される。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

1対の電極と、光共振器構造と、有機半導体を含む光増幅層を含む1つ以上の有機層とを含み、レーザ光を放射するために電流注入中の励起子密度分布と共振光モードの電界強度分布に十分な重なりを有する、電流注入有機半導体レーザダイオード。

IPC (5件)：

H01S 5/36 ,  H01S 5/12 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/24 ,  H05B 33/02

FI (5件)：

H01S5/36 ,  H01S5/12 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/24 ,  H05B33/02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 日本特許公開第2004-186599号
  
• 日本特許公開平成10-321941号
  
• 日本特許公開第2008-524870号
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-184443   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 分布帰還型レーザダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-013776   出願人：富士通株式会社