特許
J-GLOBAL ID：202203004162032384
半導体装置およびその製造方法、電力変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-028435
公開番号（公開出願番号）：特開2019-145671
特許番号：特許第7076222号
出願日： 2018年02月21日
公開日（公表日）： 2019年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上層部に設けられた第2導電型の第1の半導体領域と、 前記第1の半導体領域の上層部に設けられた第1導電型の第2の半導体領域と、 前記第1および第2の半導体領域を厚さ方向に貫通するように設けられ、その底面が前記第1の半導体層内に達するゲートトレンチと、 前記ゲートトレンチの内壁面を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲートトレンチ内に埋め込まれたゲート電極と、 前記ゲートトレンチの底面よりも深い位置において、前記第1の半導体層の厚さ方向に延在する第2導電型の第2の半導体層と、 前記ゲートトレンチの1つの側面および前記第1の半導体領域の底面に接し、前記ゲートトレンチの底面よりも深い位置にまで延在する第2導電型の第3の半導体層と、 前記ゲートトレンチの底面よりも深い位置において、前記第2の半導体層と前記第3の半導体層との間に介在する第1導電型の第4の半導体層と、を備える、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 B
, H01L 29/78 652 E
