特許

J-GLOBAL ID：202203008560112920

半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法

発明者： 芦原 洋司 ,  出貝 求 ,  早稲田 崇之
出願人/特許権者： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人 (1件)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018026673
特許番号：特許第6995997号
出願日： 2018年07月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも、第1の膜と、前記第1の膜とは組成が異なる第2の膜とが表面に露出した基板に対して、第1の無機系材料を供給し、前記基板の表面から自然酸化膜を除去する工程と、 前記基板に対して、アンモニアと過酸化水素水の混合溶液を供給し、前記第1の膜を酸化して表面に酸化膜を形成する工程と、 前記基板に対して、第2の無機系材料を供給し、前記第1の膜の表面を改質する工程と、 前記基板に対して、堆積ガスを供給し、前記第2の膜の表面に薄膜を選択成長させる工程と、 を順に行う半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/04 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/31 B ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/42