特許

J-GLOBAL ID：202203008862330462

半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法

発明者： 西村 雅史 ,  田中 宏知
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-245438
公開番号（公開出願番号）：特開2020-107745
特許番号：特許第7067465号
出願日： 2018年12月27日
公開日（公表日）： 2020年07月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェーハの主面が灰色帯域として撮像され且つ面取り面が黒色帯域として撮像されるように設定された反射型微分干渉顕微鏡によって、評価対象の半導体ウェーハの外周部の評価対象位置において微分干渉像を取得することを含み、前記微分干渉像は、灰色帯域と黒色帯域とを含み、前記灰色帯域と前記黒色帯域との間に白色帯域を更に含み、前記白色帯域の幅Wを指標として、前記評価対象位置における半導体ウェーハの主面と該主面と隣接する面取り面との境界部の形状を評価することを含む、半導体ウェーハの評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01B 11/24 ( 200 6.01) ,  B24B 49/12 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 622 R ,  G01B 11/24 D ,  B24B 49/12