特許

J-GLOBAL ID：202203009811302770

半導体装置

発明者： 下村 明久 ,  岡本 悟 ,  岡崎 豊 ,  浅見 良信 ,  本多 大章 ,  鶴目 卓也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-038553
公開番号（公開出願番号）：特開2021-114627
特許番号：特許第7059423号
出願日： 2016年02月08日
公開日（公表日）： 2021年08月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上の、第1の電極と、 前記第1の酸化物半導体層上の、第2の電極と、 前記第1の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の電極の上面及び側面を覆い、前記第1の酸化物半導体層の側面を覆う、第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層上の、第1の絶縁層と、 前記第1の電極及び前記第2の電極との間に設けられた前記第1の絶縁層の開口部と重なる、第1の凹部の形状を有する第3の酸化物半導体層と、 前記第1の凹部と重なる、第2の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、 前記第2の凹部と重なる、ゲート電極と、 前記第3の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第2の絶縁層と、 前記第2の酸化物半導体層、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層に設けられた第1の開口部において、前記第1の電極と電気的に接続された第1の導電層と、 前記第2の酸化物半導体層、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層に設けられた第2の開口部において、前記第2の電極と電気的に接続された第2の導電層と、を有し、 前記第1の酸化物半導体層は、前記第1の電極と重なる第1の領域と、前記第2の電極と重なる第2の領域と、前記第1の領域と前記第2の領域の間に位置する第3の領域と、を有し、 前記第3の領域は、前記第1の領域及び前記第2の領域よりも膜厚が小さい、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/1156 ( 201 7.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/108 321 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 621 Z ,  H01L 27/108 671 C ,  H01L 27/108 671 Z ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/146 A