特許

J-GLOBAL ID：202203010083418145

半導体装置の製造方法

発明者： 奥田 勝
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-042234
公開番号（公開出願番号）：特開2019-158966
特許番号：特許第7040146号
出願日： 2018年03月08日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体装置の製造方法であって、 半導体ウエハを回転させながら前記半導体ウエハの表面にポリイミド樹脂を塗布することによって、前記半導体ウエハの前記表面にポリイミド層を形成する工程と、 前記ポリイミド層の表面にレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層を露光することによって、前記半導体ウエハのベベル部上の前記レジスト層を除去するとともに、前記半導体ウエハの主要部上の前記レジスト層を残存させる工程と、 前記ベベル部上の前記ポリイミド層をエッチングにより除去する工程と、 前記レジスト層を露光することによって、前記半導体ウエハの前記主要部上の前記レジスト層に開口を形成する工程と、 前記開口内の前記ポリイミド層をエッチングにより除去する工程、 を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 564 ,  H01L 21/30 569 B