FeSiAl合金薄膜およびFeSiAl合金薄膜の製造方法、ならびに、磁気センサおよび磁気センサの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：楠修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-207446
公開番号（公開出願番号）：特開2022-094518
出願日： 2020年12月15日
公開日（公表日）： 2022年06月27日
要約：

【課題】良好な軟磁気特性を有し、MTJ素子の自由層に使用可能なFeSiAl合金薄膜およびFeSiAl合金薄膜の製造方法、ならびに、MTJ素子の自由層にFeSiAl合金薄膜を含む磁気センサおよび磁気センサの製造方法を提供する。【解決手段】FeSiAl合金薄膜は、Siを7wt%~10wt%、Alを4wt%~8wt%含み、残部がFeおよび不可避不純物から成り、膜厚が20nm~100nmである。磁気センサは、磁化方向が固定されている固定層と、磁化方向が変化可能な自由層と、固定層と自由層との間に配置された絶縁層とを有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気センサであって、自由層はFeSiAl合金薄膜を含んでいる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Siを7wt%~10wt%、Alを4wt%~8wt%含み、残部がFeおよび不可避不純物から成り、膜厚が20nm~100nmであることを特徴とするFeSiAl合金薄膜。

IPC (7件)：

H01F 10/12 , H01L 43/08 , H01F 10/32 , H01F 41/18 , H01F 41/22 , H01F 1/147 , G01R 33/09

FI (7件)：

H01F10/12 , H01L43/08 M , H01F10/32 , H01F41/18 , H01F41/22 , H01F1/147 191 , G01R33/09

Fターム (38件)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5E041AA04 , 5E041CA01 , 5E041HB06 , 5E041HB11 , 5E041NN01 , 5E041NN06 , 5E041NN18 , 5E049AA01 , 5E049BA06 , 5E049BA16 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5E049DB14 , 5E049EB01 , 5E049EB06 , 5E049GC01 , 5E049JC01 , 5F092AA01 , 5F092AB01 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB12 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092CA02 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第120006号公報

前のページに戻る