特許

J-GLOBAL ID：202203011419305588

炭化珪素半導体装置

発明者： 斎藤 雄 ,  増田 健良
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-168755
公開番号（公開出願番号）：特開2020-043197
特許番号：特許第7056482号
出願日： 2018年09月10日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の炭化珪素半導体の第1層と、 前記第1層の上の前記第1導電型の炭化珪素半導体の第2層と、 前記第2層の上の前記第1導電型とは異なる第2導電型の炭化珪素半導体の第3層と、 前記第3層の上の前記第1導電型の炭化珪素半導体の第4層と、 前記第4層、前記第3層、前記第2層の一部に側面を有する溝と、 前記溝の内部に設けられた絶縁膜と、 前記溝の内部の前記絶縁膜の上に設けられた複数のゲート電極と、 前記ゲート電極の直下の前記第1層に設けられた前記第2導電型の炭化珪素半導体の複数の埋込領域と、 前記第1層において、前記埋込領域の間に設けられた前記第1導電型の炭化珪素半導体の電流狭窄領域と、 を有する縦型トランジスタであって、 qを電気素量、ε0を真空中の誘電率、kSiCを炭化珪素の比誘電率、Vdを炭化珪素における拡散電位、ND2を前記第2層における不純物濃度、NDKを前記電流狭窄領域における不純物濃度、TD2を前記第2層の厚さ、WUBを隣り合う前記埋込領域の間隔、WD2を前記溝の側面における前記第2層と前記第3層との界面の位置から前記埋込領域の端までの前記第2層と前記第3層の界面に平行な距離とした場合に、 をすべてを満たす炭化珪素半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A