特許

J-GLOBAL ID：202203011962777341

ヒドラジン酸化用触媒電極およびその製造方法

発明者： 阿部 敏之 ,  佐藤 衛
出願人/特許権者： 国立大学法人弘前大学
代理人 (1件)： 角田 世治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-090760
公開番号（公開出願番号）：特開2022-183447
出願日： 2021年05月31日
公開日（公表日）： 2022年12月13日
要約：

【課題】 ヒドラジンの酸化に対し光触媒作用および触媒作用を示し、光照射下および暗所下のいずれにおいてもヒドラジンを酸化できるヒドラジン酸化用触媒電極とその製造方法を提供すること。 【解決手段】 電極基材12の上にn型有機半導体層14及びp型有機半導体層16がこの順に積層された触媒電極であって、p型有機半導体層16に銀を含む助触媒18が担持されているヒドラジン酸化用触媒電極10である。このヒドラジン酸化用触媒電極は、ヒドラジンの酸化に対して光触媒作用および触媒作用を示し、光照射下及び暗所下のいずれにおいてもヒドラジンを酸化することができる。本発明のヒドラジン酸化用触媒電極は、電極基材の上にn型有機半導体層及びp型有機半導体層をこの順で積層する積層工程と、p型有機半導体層上に銀を担持する銀担持工程により製造できる。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極基材の上にn型有機半導体層及びp型有機半導体層がこの順に積層された触媒電極であって、前記p型有機半導体層に銀を含む助触媒が担持されていることを特徴とするヒドラジン酸化用触媒電極。

IPC (16件)：

B01J 31/28 ,  B01J 37/16 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 ,  C01B 3/02 ,  C01B 21/02 ,  C01B 5/00 ,  C25B 11/053 ,  C25B 11/095 ,  C25B 11/085 ,  C25B 11/087 ,  C23C 18/44 ,  C23C 18/31 ,  C25B 5/00 ,  C25B 1/02 ,  C25B 11/081

FI (17件)：

B01J31/28 M ,  B01J37/16 ,  B01J35/02 J ,  B01J37/02 301L ,  B01J37/02 301P ,  C01B3/02 H ,  C01B21/02 A ,  C01B5/00 D ,  C25B11/053 ,  C25B11/095 ,  C25B11/085 ,  C25B11/087 ,  C23C18/44 ,  C23C18/31 A ,  C25B5/00 ,  C25B1/02 ,  C25B11/081

Fターム (52件)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA14B ,  4G169BA21A ,  4G169BA21B ,  4G169BA27B ,  4G169BA48A ,  4G169BB02A ,  4G169BB04B ,  4G169BB06B ,  4G169BC32A ,  4G169BC32B ,  4G169BC32C ,  4G169BC67B ,  4G169BD01B ,  4G169BD04B ,  4G169BD06B ,  4G169BE16B ,  4G169BE19B ,  4G169CB81 ,  4G169EB14Y ,  4G169EC25 ,  4G169EE06 ,  4G169FA01 ,  4G169FA06 ,  4G169FB02 ,  4G169FB43 ,  4G169FB78 ,  4G169FC02 ,  4G169FC04 ,  4G169HA06 ,  4G169HB06 ,  4G169HC15 ,  4G169HC22 ,  4G169HD13 ,  4G169HE20 ,  4K011AA66 ,  4K011AA68 ,  4K011AA69 ,  4K011DA11 ,  4K021AA01 ,  4K021AA07 ,  4K021BA02 ,  4K021BA17 ,  4K021DB05 ,  4K021DB18 ,  4K021DB40 ,  4K021DC03 ,  4K022AA05 ,  4K022AA43 ,  4K022BA01