特許
J-GLOBAL ID：202203012125007135
基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018011931
特許番号：特許第7079317号
出願日： 2018年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を処理する処理室と、 マイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、 前記処理室の内部温度を測定する温度測定部と、 前記処理室内へ冷却ガスを導入するガス導入部と、 前記処理室の上部の四隅に設けられ、前記処理室の上部にこもった熱を前記冷却ガスと共に排出する排気部と、 前記処理室の内部温度の上限閾値及び下限閾値を記憶する記憶部と、 前記処理室内の前記基板に対して前記マイクロ波発生器から発生される前記マイクロ波を供給し、前記温度測定部により測定した内部温度が前記下限閾値以上、且つ前記上限閾値以下である場合に前記ガス導入部から所定の流量で前記冷却ガスを前記処理室内へ導入し、前記測定した内部温度が前記上限閾値を超える場合に前記ガス導入部から前記所定の流量よりも多い前記冷却ガスを前記処理室内へ導入し、前記測定した内部温度が前記下限閾値に満たない場合に前記ガス導入部から前記所定の流量よりも少ない前記冷却ガスを前記処理室内へ導入するように前記マイクロ波発生器と前記ガス導入部を制御するよう構成される制御部と、 を備えた基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/677 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
, H01L 21/68 A
, H01L 21/316 S
