特許

J-GLOBAL ID：202203012207880589

成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法

発明者： 滝沢 毅 ,  大倉 敏和 ,  石井 博 ,  諸橋 悟 ,  富井 広樹 ,  柏倉 一史
出願人/特許権者： キヤノントッキ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人秀和特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-179291
公開番号（公開出願番号）：特開2019-094562
特許番号：特許第7009340号
出願日： 2018年09月25日
公開日（公表日）： 2019年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、 マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、 前記磁力印加手段による前記マスクと前記基板との間の距離を測定するための測定手段と、 前記測定手段によって測定された前記距離に基づいて、前記磁力印加手段を制御するための制御部を含み、 前記制御部は、前記測定手段によって測定された前記距離が基準値より大きい場合、前記磁力印加手段をマスクから離れるように上昇させた後、前記磁力印加手段がV字の形を取った状態で前記磁力印加手段を前記マスクの方に下降させ、次いで平面に戻すように制御することにより、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力を弱めた後、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力が前記マスクの中央部から再印加されるように前記磁力印加手段を制御する成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/50 ( 200 6.01) ,  C23C 14/04 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/50 F ,  C23C 14/04 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-368619   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-319173   出願人：松下電器産業株式会社