特許

J-GLOBAL ID：202203013553110290

半導体レーザダイオードおよび半導体デバイス

発明者： アレクサンダー バッハマン ,  ローラント ハインリヒ エンツマン ,  ミヒャエル ミュラー
出願人/特許権者： オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  森田 拓 ,  前川 純一 ,  二宮 浩康 ,  上島 類
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：EP2018075486
特許番号：特許第7073500号
出願日： 2018年09月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体レーザダイオード(1)およびヒートシンク(6)を有する半導体デバイスであって、前記半導体レーザダイオード(1)は、 ビームを形成するために設けられた活性領域(20)を備えた半導体積層体(2)と、 前記活性領域(20)の主延在面に対して垂直に延びるビーム出力結合面(10)と、 前記半導体積層体(2)を垂直方向に画定する主面(11)と、 前記主面(11)に隣接しているコンタクト層(3)と、 前記活性領域(20)とは反対側を向いた、前記コンタクト層(3)の面に部分的に配置されている放熱層(4)とを有し、前記放熱層(4)は、電気絶縁性であり、少なくとも100W/(K*m)の熱伝導率を有し、前記放熱層(4)は、前記コンタクト層(3)がむき出しになっている少なくとも1つの開口部(45)を有し、前記放熱層(4)の前記開口部(45)は、最大1:1の縦横比を有し、前記放熱層(4)は、前記半導体レーザダイオード(1)の平面図において、前記放熱層(4)の全体面積の少なくとも70%まで、前記コンタクト層(3)によって荷電粒子が前記主面(11)を介して前記半導体積層体(2)に注入される通流領域(19)内に配置されており、前記半導体レーザダイオード(1)は、接合手段(65)によって前記ヒートシンク(6)に固定されており、前記接合手段は、前記開口部(45)内において、前記放熱層(4)および前記コンタクト層(3)に直接に隣接している、半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01S 5/042 ( 200 6.01) ,  H01S 5/022 ( 202 1.01)

FI (2件)：

H01S 5/042 612 ,  H01S 5/022