特許
J-GLOBAL ID：202203013633492428

半導体装置、および、半導体装置の製造方法

発明者：
陳 則

陳 則 について

, 
清水 和宏

清水 和宏 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-198825
公開番号（公開出願番号）：特開2020-068244
特許番号：特許第7061948号
出願日： 2018年10月23日
公開日（公表日）： 2020年04月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の表層において素子構造が形成される領域である活性領域を平面視において囲み、かつ、前記半導体基板の表層に形成される、第2の導電型のウェル領域と、 前記ウェル領域を平面視において囲み、かつ、前記半導体基板の表層に形成される、第2の導電型のバッファ領域と、 前記ウェル領域の上面および前記バッファ領域の上面に形成される絶縁膜と、 前記絶縁膜の上面に形成される電極と、 前記バッファ領域を平面視において囲み、かつ、前記半導体基板の表層に形成される、第2の導電型の電界緩和構造とを備え、 前記バッファ領域は、前記ウェル領域と接触して形成され、 前記バッファ領域の不純物濃度は、前記活性領域から離れるにつれて小さくなり、 前記電極の前記活性領域から遠い側の端部は、前記バッファ領域の前記活性領域から遠い側の端部よりも前記活性領域に近い箇所に位置し、 前記電界緩和構造は、それぞれが前記バッファ領域を平面視において囲み、かつ、前記半導体基板の表層に形成される、第2の導電型の複数のリサーフ層を備え、 前記活性領域に最も近い前記リサーフ層は、前記バッファ領域に接触し、 前記活性領域に近い方から少なくとも2つの前記リサーフ層同士は、互いに接触し、 前記絶縁膜は、前記バッファ領域の上面において部分的に形成され、 前記バッファ領域は、前記電極と接続される、 半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/44 Y ,  H01L 29/06 301 R
引用特許：
審査官引用 (2件)

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