特許

J-GLOBAL ID：202203014681105955

pチャンネル電界効果トランジスタ及び増幅回路用半導体素子

発明者： 佐々木 公平 ,  加瀬 正史 ,  青木 和夫 ,  國分 義弘 ,  中込 真二
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-087129
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192871
特許番号：特許第6997990号
出願日： 2018年04月27日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Ga2O3系材料からなるGa2O3系層と、 前記Ga2O3系層と接合する、p型のNiOからなるソース領域及びドレイン領域と、 前記Ga2O3系層に含まれる、n型又は絶縁性のチャンネル領域と、 を備えた、pチャンネル電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 29/24 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/092 C ,  H01L 27/092 E ,  H01L 29/24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-182906   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-286074   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-160092   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構