特許

J-GLOBAL ID：202203015487845170

ウェハ接合のための犠牲アライメントリング及び自己はんだ付けビア

発明者： サトー、ジャスティン ヒロキ ,  チェン、ボミー ,  ルンディ、ウォルター
出願人/特許権者： シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人英知国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：US2018022720
特許番号：特許第7011665号
出願日： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の基板を第2の基板に接合する方法であって、前記第1の基板は、前記第1の基板の上面上に第1の電気接点を含むとともに、前記第1の基板の上面上に第3の電気接点を含み、前記第3の電気接点は前記第1の電気接点から横方向に離間しており、前記第2の基板は、前記第2の基板の底面上に第2の電気接点を含み、前記方法は、 前記第1の基板の前記上面にポリイミドのブロックを形成するステップであって、前記ポリイミドのブロックは、丸みを帯びた上角部を有するステップと、 前記第1の電気接点が前記第2の電気接点に当接するまで、前記第1の基板の前記上面及び前記第2の基板の前記底面を互いに向かって垂直に移動させるステップであって、前記移動中、前記第2の基板は、前記ポリイミドの前記丸みを帯びた上角部と接触して、前記第1及び第2の基板を互いに対して横方向に移動させるステップと、前記第3の電気接点上にアルミニウムパッドを形成するステップであって、前記ポリイミドのブロックの一部は直接前記アルミニウムパッドの上にある、ステップと、ワイヤを前記アルミパッドに接続するステップと、を含む、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 25/08 B ,  H01L 21/60 301 P