特許
J-GLOBAL ID：202203016673490915
リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びその製造方法、並びにレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
, 内藤 和彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016074865
特許番号：特許第7020912号
出願日： 2016年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(1-1)で表される化合物又は下記式(1-1)で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂の少なくともいずれかを含有する、リソグラフィー用下層膜形成材料。(1-1)(式(1-1)中、R1は、炭素数1~60の2n価の基又は単結合であり、nは1~4の整数であり、nが2以上の整数の場合、n個の[ ]内の構造単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、qは各々独立して0又は1であり、R3は、各々独立して、ハロゲン原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、又は炭素数2~10のアルケニル基、炭素数1~30のアルコキシ基、チオール基であり、同一のナフタレン環又はベンゼン環において同一であっても異なっていてもよく、m5は各々独立して1~6の整数であり、m6は各々独立して0~5の整数であり、m5+m6は1~6の整数であり、但し、R1及びR3からなる群より選択される少なくとも1つはヨウ素原子を含む基である。)
IPC (5件)：
G03F 7/11 ( 200 6.01)
, C08G 8/20 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
G03F 7/11 503
, G03F 7/11 502
, C08G 8/20 Z
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 501
, G03F 7/20 521
, G03F 7/039 601
