特許
J-GLOBAL ID:202203017422683630

近接場発生用プローブ、その製造方法およびそれを用いた近接場分光測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 伴 俊光 ,  細田 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2021-086373
公開番号(公開出願番号):特開2022-179113
出願日: 2021年05月21日
公開日(公表日): 2022年12月02日
要約:
【課題】測定中の不安定化が生じず、高感度な分光測定を実施するのに十分な近接場発生強度を有しており、安定動作のための酸化・硫化を防ぐコート膜が付与されている近接場発生用プローブを提供する。 【解決手段】金属ナノワイヤをカンチレバーに固定したプローブであって、金属ナノワイヤの先端部に2つ以上の金属微粒子が保持されており、金属微粒子と金属ナノワイヤに酸化・硫化防止コート膜が付与された近接場発生用プローブ、その製造方法およびそれを用いた近接場分光測定方法。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
金属ナノワイヤをカンチレバーに固定したプローブであって、金属ナノワイヤの少なくとも先端部に2つ以上の金属微粒子が保持されており、金属微粒子と金属ナノワイヤに酸化・硫化防止コート膜が付与されていることを特徴とする近接場発生用プローブ。
IPC (2件):
G01Q 60/38 ,  G01Q 30/02
FI (3件):
G01Q60/38 101 ,  G01Q60/38 111 ,  G01Q30/02
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 国際公開第2019/008108号
  • 国際公開第2004/052489号

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