特許

J-GLOBAL ID：202203017636824001

ゲート・スタックの厚さが等しい縦型輸送トランジスタ

発明者： バオ、ルーチャン ,  リー、チューユン ,  シュウ、ジェン ,  ビー、ヂェンシン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：IB2018052586
特許番号：特許第7004742号
出願日： 2018年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体デバイスを形成するための方法であって、 第1のタイプの領域および第2のタイプの領域内の下部ソース/ドレイン層上に、垂直半導体チャネルを形成することと、 前記垂直半導体チャネルの側壁に、ゲート誘電体層を形成することと、 第1のタイプの仕事関数層を、前記第1のタイプの領域内に形成することと、 第2のタイプの仕事関数層を、前記第1のタイプの領域内および前記第2のタイプの領域内の両方に形成することと、 前記第1のタイプの領域内の積み重なった層の厚さが、前記第2のタイプの領域内の積み重なった層の厚さと同じになるように、厚さ整合層を前記第2のタイプの領域内に形成することと、 上部ソース/ドレイン領域を、前記垂直半導体チャネルの上部に形成することとを含んでいる、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/092 D ,  H01L 27/092 G