特許

J-GLOBAL ID：202203018457325910

蛍光体発光面の面積が低減されたセグメントLEDアレイアーキテクチャ

発明者： シェン,ユ-チェン ,  ゴードン,ルーク ,  パーテル,アミル アショック
出願人/特許権者： ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  宮崎 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：US2018067182
特許番号：特許第7053841号
出願日： 2018年12月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 発光ダイオード(LED)アレイであって、 前記LEDアレイの中心にある中心ピクセル及び前記LEDアレイの端にあるエッジピクセルを有するモノリシック構造であり、前記中心ピクセルは、第1エピタキシャル層を有する第1ピクセルを含み、前記エッジピクセルは、第2エピタキシャル層を有する第2ピクセルを含み、前記第1エピタキシャル層及び前記第2エピタキシャル層の夫々は、動作中に光を放ち、p型領域、該p型領域の上にあるアクティブ領域、及び該アクティブ領域の上にあるn型領域を有し、前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルの夫々は、個別的にアドレッシング可能なピクセルである、前記モノリシック構造と、 前記第1ピクセルの上にある第1波長変換層であり、前記第1波長変換層は、前記第1エピタキシャル層の上にあってそれと直接接しており、前記第1波長変換層は、前記第1エピタキシャル層の幅に等しい幅を有して前記第1エピタキシャル層に直接接する第1接触面と、該第1接触面の幅よりも狭い幅を有する第1発光面と、角度をつけられた側壁とを有する、前記第1波長変換層と、 前記第2ピクセルの上にある第2波長変換層であり、前記第2波長変換層は、第2発光面と、前記第2エピタキシャル層の上にあってそれと直接接する第2接触面とを有し、前記第2接触面及び前記第2発光面は夫々、前記第2エピタキシャル層の幅に等しい幅を有する、前記第2波長変換層と、 前記第1波長変換層の前記第1発光面を露出されたままにする、前記第1波長変換層の前記角度をつけられた側壁の上に配置された共形の層と を有するLEDアレイ。

IPC (8件)：

H01L 33/20 ( 201 0.01) ,  H01L 33/50 ( 201 0.01) ,  H01L 33/46 ( 201 0.01) ,  F21V 9/30 ( 201 8.01) ,  F21V 9/32 ( 201 8.01) ,  F21V 19/00 ( 200 6.01) ,  F21Y 115/10 ( 201 6.01) ,  F21Y 105/16 ( 201 6.01)

FI (9件)：

H01L 33/20 ,  H01L 33/50 ,  H01L 33/46 ,  F21V 9/30 ,  F21V 9/32 ,  F21V 19/00 150 ,  F21V 19/00 170 ,  F21Y 115:10 ,  F21Y 105:16