特許
J-GLOBAL ID：202203018802914355
スパッタ装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
,
代理人 (1件)：
特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-077125
公開番号（公開出願番号）：特開2022-170863
出願日： 2021年04月30日
公開日（公表日）： 2022年11月11日
要約：
【課題】プラズマ密度を高くすることができ、それによって成膜速度を速くすることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】第1ターゲットホルダ111及び第2ターゲットホルダ112と、プラズマ生成領域Rの側方に設けられた基板ホルダ16と、プラズマ生成領域R内に電界を生成する電源14と、プラズマ生成領域Rの、該プラズマ生成領域Rを挟んで基板ホルダ16と対向する側方に設けられた、該プラズマ生成領域R内に高周波電磁界を生成する高周波電磁界生成部17と、プラズマ生成領域R内にプラズマ原料ガスを導入するプラズマ原料ガス導入部15とを備え、第1ターゲットホルダ111及び第2ターゲットホルダ112の、高周波電磁界生成部17側の端部には磁界を生成する手段が存在しないスパッタ装置である。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
a) 第1ターゲット及び第2ターゲットを、それらの表面が互いに対向するように、それぞれ保持する第1ターゲットホルダ及び第2ターゲットホルダと、
b) 前記第1ターゲットホルダ及び前記第2ターゲットホルダにそれぞれ保持された第1ターゲットと第2ターゲットの間の領域であるプラズマ生成領域の一方の側方に設けられた基板ホルダと、
c) 前記第1ターゲットを挟んで前記プラズマ生成領域の反対側、及び前記第2ターゲットを挟んで前記プラズマ生成領域の反対側にそれぞれ設けられ、互いに逆の極が対向するように磁石が配置された、該第1ターゲット及び該第2ターゲットの表面にそれぞれ第1主磁界及び第2主磁界を生成する第1主磁界生成部及び第2主磁界生成部と、
d) 前記第1ターゲットホルダ及び前記第2ターゲットホルダにそれぞれ所定の電位を付与することにより前記プラズマ生成領域内に電界を生成する電源と、
e) 前記プラズマ生成領域の、該プラズマ生成領域を挟んで前記基板ホルダと対向する側方に設けられた、該プラズマ生成領域内に高周波電磁界を生成する高周波電磁界生成部と、
f) 前記プラズマ生成領域内にプラズマ原料ガスを導入するプラズマ原料ガス導入部と
を備え、
前記第1ターゲットホルダ及び前記第2ターゲットホルダの、前記高周波電磁界生成部側の端部には磁界を生成する手段が存在しない
ことを特徴とするスパッタ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
2G084AA04
, 2G084BB02
, 2G084BB12
, 2G084CC13
, 2G084CC33
, 2G084DD02
, 2G084DD03
, 2G084DD12
, 2G084DD55
, 2G084FF23
, 2G084FF27
, 2G084FF28
, 2G084FF31
, 4K029CA05
, 4K029DA04
, 4K029DC13
, 4K029DC16
, 4K029DC43
, 4K029DC44
, 4K029EA06
, 4K029JA01
