特許
J-GLOBAL ID：202203019999195572

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
黒木 康平

黒木 康平 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-084420
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192797
特許番号：特許第7048153号
出願日： 2018年04月25日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に複数の第1電極を有する第1半導体チップと、 前記第1半導体チップの前記表面と隙間を隔てて配置され、前記第1電極の各々に接続された複数の第2電極を表面に有する内周領域、及び前記内周領域を囲み、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有する外周領域を有する第2半導体チップと、 前記第1半導体チップの前記表面と前記内周領域との間、及び前記第1半導体チップの前記表面と前記外周領域との間にそれぞれ充填された封止樹脂と、 を含み、 前記外周領域は、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有する第1外周領域と、前記第1外周領域を囲み、前記第1外周領域の厚さよりも薄い最外周領域と、前記内周領域と前記第1外周領域との間に、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有し且つ前記第1外周領域の厚さよりも厚い厚さを有する第2外周領域を含む 半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 23/29 ( 200 6.01) ,  H01L 23/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/56 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 21/301 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 25/08 B ,  H01L 23/30 R ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
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