特許

J-GLOBAL ID：202203020490994962

三次元メモリアレイ

発明者： ピロヴァーノ,アゴスティーノ ,  レダエッリ,アンドレア ,  ペッリッツェル,ファビオ ,  トルトレッリ,インノチェンツォ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー,インク.
代理人 (4件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久 ,  青木 宏義 ,  天田 昌行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：US2018047143
特許番号：特許第7038198号
出願日： 2018年08月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メモリアレイ(100、200)であって、 複数の第1の誘電体材料(114)及び複数のスタック(116)であって、それぞれの各第1の誘電体材料(114)とそれぞれの各スタック(116)が交互に配置され、それぞれの各スタック(116)は第1の導電性材料(110)及び記憶材料(106)を含む、複数の第1の誘電体材料(114)及び複数のスタック(116)と、 前記複数の第1の誘電体材料(114)及び前記複数のスタック(116)を貫通する第2の導電性材料(152)と、 を含み、 それぞれの各スタック(116)は、前記第1の導電性材料(110)と前記第2の導電性材料(152)との間に第2の誘電体材料(138)をさらに含み、 前記メモリアレイ(100、200)は、前記第2の導電性材料(152)と前記複数のスタック(116)との間、及び、前記第2の導電性材料(152)と前記複数の第1の誘電体材料(114)との間に、第3の誘電体材料(150)をさらに含み、該第3の誘電体材料(150)は、該第3の誘電体材料(150)を通って電流を流すように十分に薄い、メモリアレイ(100、200)。

IPC (4件)：

H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/105 449 ,  H01L 27/105 448 ,  H01L 45/00 A ,  H01L 49/00 Z