特許

J-GLOBAL ID：202203020820723731

イオン注入システム及びその場(in situ)プラズマクリーニング方法

発明者： ケビン アングリン ,  ウィリアム デイビス リー ,  ピーター クルンツィ ,  ライアン ドウニー ,  ジェイ ティ シェアー ,  アレクサンダー リクハンスキ ,  ウィリアム エム ホルバー
出願人/特許権者： ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  石川 雅章
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-563593
公開番号（公開出願番号）：特開2021-009842
特許番号：特許第7068412号
出願日： 2016年06月02日
公開日（公表日）： 2021年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 イオンビームを作るように構成されたイオン源と、 ビームラインコンポーネントと、 前記ビームラインコンポーネントにガスを供給するように構成されたガス源と、を備え、 前記ガス源は、堆積物と前記ガスとの反応を介して、前記ビームラインコンポーネントの表面に存在する前記堆積物をエッチングするように構成される、前記ガス源は、前記イオンビームを介して前記ビームラインコンポーネントへのイオン照射中に前記ビームラインコンポーネントに前記ガスを供給するように構成され、前記イオン照射は、前記ビームラインコンポーネントの前記表面の加熱を引き起こし、該ビームラインコンポーネントの前記表面に存在する前記堆積物の化学エッチング速度を促進する、イオン注入システム。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01J 49/48 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 49/48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-213039
  
• イオン注入装置の構成部品を洗浄するための新規な方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-539016   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
• イオンビームの中心線軌跡を中心に静電レンズを制御する方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-547512   出願人：バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド