特許
J-GLOBAL ID：202203020919312482
積層水平アクティブストリップに配置され、垂直制御ゲートを有するマルチゲートNORフラッシュ薄膜トランジスタストリング
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 大島特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-517296
公開番号（公開出願番号）：特開2021-044566
特許番号：特許第7072035号
出願日： 2016年07月27日
公開日（公表日）： 2021年03月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の平坦な表面の上に形成されたNORストリングアレイであって、 第1のNORストリング及び第2のNORストリングを有し、 前記第1のNORストリング及び前記第2のNORストリングの各々は、前記平坦の表面に平行な第1の方向に沿って長手方向に延びるアクティブストリップに沿って形成された薄膜蓄積トランジスタを含み、 各NORストリングにおいて、前記薄膜蓄積トランジスタは、プリチャージデバイス、共通ドレイン端子、及び共通ソース端子を共有し、前記共通ドレイン端子は、(i)半導体レイヤーと、(ii)前記半導体レイヤーと電気的に接触し、かつ長手方向に実質的に整列している金属レイヤーとを含み、 前記第1のNORストリング内の各薄膜蓄積トランジスタのゲート端子は、前記平坦な表面に実質的に垂直である第2の方向に沿って長手方向に延びる導体によって、前記第2のNORストリング内の対応する薄膜蓄積トランジスタのゲート端子に電気的に接続され、前記プリチャージデバイスは、各NORストリングに対するプログラム動作、プログラム禁止動作、読み出し動作または消去動作の実施中にソース端子の寄生容量によって実質的に保持される電圧に共通ソース端子をプリチャージし、 前記NORストリングアレイはさらに、第3のNORストリングを有し、 前記第1のNORストリング及び前記第3のNORストリングは、前記平坦な表面に平行な平面上に形成され、 前記第3のNORストリング上の1つ以上の蓄積トランジスタは、基準閾値電圧を有するようにプログラムされ、前記基準閾値電圧は、プログラム動作または読み出し動作中に前記第1のNORストリング内の蓄積トランジスタの閾値電圧と比較されることを特徴とするNORストリングアレイ。
IPC (5件)：
H01L 27/1158 ( 201 7.01)
, H01L 27/1157 ( 201 7.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
H01L 27/115 2
, H01L 27/115 3
, H01L 29/78 371
