研課題
J-GLOBAL ID：202204009407015230
研究課題コード：21461434
非平衡系IV族混晶半導体ヘテロ接合によるテラヘルツ帯デバイスの創出
体系的課題番号：JPMJPR21B6
実施期間：2021 - 2024
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学研究科, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR21B6
研究概要：
本研究では、これまでに正孔の共鳴現象を観測した実績のあるGeSiSn/GeSnヘテロ接合のデバイス化を始点として、(1)安定動作が可能なデバイス構造設計指針の、実験と理論の両面からの解明(2)RTDデバイス動作の信頼性向上に向けたGe(Si)Sn結晶欠陥・絶縁膜/Ge(Si)Sn界面欠陥制御の要素技術開発を行い、GeSiSn/GeSnヘテロ接合RTDデバイスの室温動作実証を行う。
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した研究課題タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
,
,
,
研究制度：
＞
＞
上位研究課題：
情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム
研究所管機関：
前のページに戻る
