研課題
J-GLOBAL ID:202204010018069951  研究課題コード:14538178

多接合型太陽電池の汎用性向上に向けた高出力ゲルマニウム薄膜の開発

実施期間:2014 - 2015
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 数理物質系, 助教 )
研究概要:
本研究では、Al誘起成長で形成した擬似単結晶Ge薄膜をシード層とし、ガラス基板上におけるGe光吸収層の形成を検討した。光吸収層を分子線エピタキシー成長した場合、シード層から光吸収層へAl原子が拡散し、光学特性を劣化させることが判明した。そこで、分子線エピタキシーに代わる手段として、化学気相成長を用いたGeナノワイヤ・アレイの高速成長を試行した。その結果、Al含有のないGeナノワイヤ・アレイをガラス上、さらにはプラスチック上に創出した。非晶質基板上に合成したナノワイヤとして、従来最高レベルの結晶性および均一性を有している。今後、ナノワイヤ太陽電池の試作と光学特性の向上を目指し、研究を推進する。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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