高効率インバータ用シリコンパワーダイオードの高速化

実施期間：2014 - 2015
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 研究部, 上級研究員 )
研究概要：

シリコンパワーダイオードのシリコンエッチングにより得られた新規基本構造をシミュレーションした結果、仕様を満足しつつチップの小型化と高速スイッチング化が可能であることが判明した。具体的にはチップサイズが2/3倍、スイッチングスピードが55ns(1.3V時)になり当初の目標をほぼ達成する。またSEM、AFM、TEMによる分析により、エッチング形状は3次元的に問題が無く、エッチング表面近傍に欠陥が無いことも明らかになった。シリコンエッチングプロセスは確立したので、今後は酸化膜形成プロセスと電極埋め込みプロセスの確立が今後の課題となる。本研究により、シリコンデバイスの膨大なインフラを活かした高速ダイオードの大量供給およびそれによるエネルギー利用高効率化に対し大きく前進した。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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