3次元磁気メモリの開発

体系的課題番号：JPMJCR21C1
実施期間：2021 - 2026
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 化学研究所, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C1
研究概要：

記録層/磁壁層で構成される人工強磁性体からなる3次元磁気メモリを開発する。本提案の3次元磁気メモリでは、3次元構造・磁性体の不揮発性と高速ダイナミクス・多値メモリシフトレジスタの特徴から、揮発性メモリDRAM同様の高速性と不揮発性メモリ3D-NANDのような高密度・低コストが実現される。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：情報担体を活用した集積デバイス・システム
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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