テラヘルツ帯磁気光学エリプソメトリーによる非接触半導体薄膜評価法の開発

実施期間：2014 - 2015
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 理工学部, 准教授 )
研究概要：

半導体薄膜の自由キャリア密度,移動度及び有効質量を独立に,かつ非破壊・非接触で導出するためのテラヘルツ帯磁気光学分光エリプソメトリー法を開発した.測定感度向上のためにラピッドスキャン方式時間領域分光システムを構築し,さらに強磁場印加装置を製作した.データ解析においても磁場印加を考慮した新規解析スキームを開発した.高移動度半導体薄膜について自由キャリア密度,移動度及び有効質量を評価できることを実証した.低移動度材料についても,今回明らかになった開発課題を達成することで評価可能と考えられる.本手法は基礎研究段階での材料物性評価に有用であるだけでなく,電極等を必要とせず迅速に測定できるので製品検査への摘要も期待される.

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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