研究者
J-GLOBAL ID:202301011591318730   更新日: 2024年10月23日

田沼 伸久

タヌマ ノブヒサ | Tanuma Nobuhisa
所属機関・部署:
職名: チームリーダー
研究分野 (2件): 半導体、光物性、原子物理 ,  電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2017 - 2017 地方行政の産業振興政策の決定に資する地域イノベーションの分析・可視化ツールの開発
論文 (31件):
  • H. Ohya, J. Toyoshima, N. Tanuma, M. Tacano, T. Itatani, T. Musha. Hooge parameter of Ge grown for high-μ substrates of future sub-nm FETs. 2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013. 2013
  • Jan Pavelka, Josef Sikula, Munecazu Tacano, Nobuhisa Tanuma. Activation energy of traps in GaN HFETs. 2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013. 2013
  • Jan Pavelka, Munecazu Tacano, Nobuhisa Tanuma, Josef Šikula. 1/f noise models and low-frequency noise characteristics of InAlAs/InGaAs devices. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2011. 8. 2. 303-305
  • 大矢 博史, 田沼 伸久, 諸星 勇樹. Poole-Frenkel電流と1/f雑音によるパワー用MLCCの信頼性評価-Evaluation of Reliability of Power-MLCCs by Poole-Frenkel Currents and 1/f Noise. 明星大学理工学部研究紀要 = Research bulletin of Meisei University. Physical sciences and engineering. 2011. 47. 29-33
  • Jan Pavelka, Nobuhisa Tanuma, Munecazu Tacano, Josef Sikula. LOW-FREQUENCY NOISE ANALYSIS OF GAN-BASED DEVICES. ELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS: IMAPS CS INTERNATIONAL CONFERENCE 2011. 2011. 235-239
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MISC (4件):
  • 田沼 伸久, 久保田 稔, 鷹野 致和. GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2006. 106. 270. 103-106
  • 田沼 伸久, 宮崎 栄悟, 横倉 三郎. GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2004. 103. 560. 21-24
  • 横倉 三郎, 田沼 伸久, 野崎 忠信, 梶原 洋子, 鷹野 致和. 車椅子レース用フライングスタート検出方法. 電気学会研究会資料. PHS, フィジカルセンサ研究会. 2001. 2001. 1. 71-72
  • 田沼 伸久, 横倉 三郎, 鷹野 致和. 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2001. 100. 547. 33-39
書籍 (1件):
  • 次世代パワー半導体 : 省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線
    エヌ・ティー・エス 2009 ISBN:9784860432621
講演・口頭発表等 (67件):
  • 特許情報を用いた地域のイノベーション活動の計量分析
    (産学連携学会 第15回大会 2017)
  • 教育研究機器の該非判定作業による安全保障輸出管理のリスクマネジメント
    (産学連携学会 第14回大会 2016)
  • Hooge parameter of Ge grown for high-μ substrates of future sub-nm FETs
    (2013 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), France 2013)
  • Activation energy of traps in GaN HFETs
    (Conference: Noise and Fluctuations (ICNF), 2013 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), France 2013)
  • Noise Research in Nanoscale Electronic Devices
    (Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2012, BRNO, Czech 2012)
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (明星大学)
経歴 (14件):
  • 2024/04 - 現在 学校法人明星学苑 学苑・大学事務局 情報システム・研究支援ユニット 研究支援チーム チームリーダー
  • 1997/04 - 現在 学校法人明星学苑
  • 2023/04 - 2024/03 学校法人明星学苑 学苑・大学企画局 経営企画ユニット 経営企画チーム チームリーダー
  • 2022/04 - 2023/03 学校法人明星学苑 学苑・大学企画局 企画ユニット研究企画チーム チームリーダー
  • 2021/04 - 2022/03 学校法人明星学苑 明星大学 教育研究情報ユニット教育研究情報チーム チームリーダー
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委員歴 (3件):
  • 2024/06 - 現在 輸出管理DAY for ACADEMIA 実行委員会 オブザーバー
  • 2022/07 - 現在 日野市 日野市工業推進協議会 委員
  • 2017/09 - 2023/05 輸出管理DAY for ACADEMIA 実行委員会 オブザーバー
所属学会 (5件):
RA協議会 ,  研究・イノベーション学会 ,  産学連携学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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