特許

J-GLOBAL ID：202303004822660097

超伝導バルク体、および超伝導バルク体の製造方法

発明者： 石田 茂之 ,  荻野 拓 ,  スガリ パバンクマーナイク ,  土屋 佳則 ,  伊豫 彰 ,  永崎 洋 ,  吉田 良行 ,  川島 健司 ,  神谷 良久
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  株式会社アイシン
代理人 (1件)： 弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-156060
公開番号（公開出願番号）：特開2023-047119
出願日： 2021年09月24日
公開日（公表日）： 2023年04月05日
要約：

【課題】鉄系化合物の超伝導バルク体において、従来よりも臨界電流密度を向上させること。 【解決手段】超伝導バルク体(B)は、鉄系超伝導体の多結晶であり、ロットゲーリング法によるc軸の配向度が0.2以上である。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

鉄系超伝導体の多結晶である超伝導バルク体であって、ロットゲーリング法によるc軸の配向度が0.2以上である、超伝導バルク体。

IPC (3件)：

H01F 6/00 ,  H01B 12/02 ,  H01B 13/00

FI (3件)：

H01F6/00 ,  H01B12/02 ,  H01B13/00 565Z

Fターム (4件)：

5G321AA98 ,  5G321CA04 ,  5G321CA15 ,  5G321DB45

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 鉄系超伝導永久磁石およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2017-551334   出願人：ザフロリダステイトユニバーシティーリサーチファウンデーション,インコーポレイテッド, 国立研究開発法人科学技術振興機構