特許

J-GLOBAL ID：202303012949276612

大単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法

発明者： ミスラ デヴィ シャンカール
出願人/特許権者： サンセット ピーク インターナショナル リミテッド
代理人 (7件)： 田中 伸一郎 ,  ▲吉▼田 和彦 ,  須田 洋之 ,  松下 満 ,  倉澤 伊知郎 ,  山本 泰史 ,  渡邊 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：SG2018000003
特許番号：特許第7256753号
出願日： 2018年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 単結晶ダイヤモンドを製造する方法であって、 (i)2つまたは3つ以上の単結晶ダイヤモンド基材をダイヤモンド成長チャンバ内に互いに隣接して用意するステップを含み、各単結晶ダイヤモンド基材は、少なくとも、頂面、側面および前記側面に隣接した別の側面を有し、前記側面および前記別の側面の結晶方位を表わす3つの整数のうちの1つだけが異なり、前記各単結晶ダイヤモンド基材の前記側面の結晶方位は互いに等しく、 (ii)前記同一の結晶方位の側面が互いに接触状態にありかつ前記別の側面が互いに接触状態にはないが、互いに直接隣接し、しかも前記2つまたは3つ以上の単結晶ダイヤモンド基材の収斂成長を助けるような仕方で前記単結晶ダイヤモンド基材を配置するステップを含み、 (iii)ダイヤモンド成長プロセスを用いて前記単結晶ダイヤモンド基材のダイヤモンド成長を可能にするステップを含む、方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C30B 25/20 ( 200 6.01) ,  C23C 16/27 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 29/04 A ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/205