特許
J-GLOBAL ID:202303015194794340

(二元)金属硫化物ポリマー複合材料、および水素製造のための触媒としてのその使用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 弁理士法人深見特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2022-566276
公開番号(公開出願番号):特表2023-526184
出願日: 2021年04月28日
公開日(公表日): 2023年06月21日
要約:
本発明は、アモルファス(二元)金属硫化物ナノ粒子と硫黄含有ポリマーとで形成される複合材料であって、アモルファス(二元)金属硫化物ナノ粒子が配位共有結合によって硫黄含有ポリマーに直接結合している、複合材料に関する。また、本発明は、本発明に係る複合材料の調製方法にも関する。水素製造のための触媒としての本発明に係る複合材料の使用もまた、本発明の一部である。最後に、本発明は、本発明に係る複合材料を備えるプロトン交換膜(PEM)電気分解装置、および本発明に係る複合材料を備える光電気化学セルに関する。
請求項(抜粋):
アモルファス(二元)金属硫化物ナノ粒子と、 硫黄含有ポリマーと で形成される複合材料であって、前記アモルファス(二元)金属硫化物ナノ粒子は、配位共有結合によって前記硫黄含有ポリマーに直接結合している、複合材料。
IPC (23件):
C08L 65/00 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/08 ,  B01J 37/02 ,  B01J 37/12 ,  B01J 37/06 ,  C25B 1/04 ,  C25B 9/00 ,  C25B 1/55 ,  C25B 9/50 ,  C25B 9/23 ,  C25B 11/052 ,  C25B 11/054 ,  C25B 11/065 ,  C25B 11/095 ,  C08G 61/12 ,  C01B 17/20 ,  C01G 41/00 ,  C01G 51/00 ,  C01G 49/00 ,  C01G 39/06 ,  B01J 31/34 ,  C08K 3/10
FI (24件):
C08L65/00 ,  B01J35/02 H ,  B01J37/08 ,  B01J37/02 101Z ,  B01J37/12 ,  B01J37/06 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 A ,  C25B1/55 ,  C25B9/50 ,  C25B9/23 ,  C25B11/052 ,  C25B11/054 ,  C25B11/065 ,  C25B11/095 ,  C08G61/12 ,  C01B17/20 ,  C01G41/00 Z ,  C01G51/00 C ,  C01G49/00 A ,  C01G49/00 H ,  C01G39/06 ,  B01J31/34 M ,  C08K3/10
Fターム (101件):
4G002AA13 ,  4G002AB07 ,  4G002AE05 ,  4G048AA07 ,  4G048AB02 ,  4G048AB08 ,  4G048AC08 ,  4G048AE06 ,  4G048AE08 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA08B ,  4G169BA21C ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA22C ,  4G169BA32A ,  4G169BA36C ,  4G169BB06C ,  4G169BB09A ,  4G169BB09B ,  4G169BB09C ,  4G169BB10C ,  4G169BB12C ,  4G169BB16C ,  4G169BC02C ,  4G169BC03C ,  4G169BC31A ,  4G169BC43C ,  4G169BC50A ,  4G169BC53A ,  4G169BC54A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC57A ,  4G169BC58A ,  4G169BC58C ,  4G169BC59A ,  4G169BC59B ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC62A ,  4G169BC62C ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169BC68A ,  4G169BD01A ,  4G169BD01B ,  4G169BD01C ,  4G169BD04A ,  4G169BD04B ,  4G169BD04C ,  4G169BD06C ,  4G169BD08A ,  4G169BD08B ,  4G169BD08C ,  4G169BE21A ,  4G169BE21C ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EB18X ,  4G169EB19 ,  4G169EC26 ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB06 ,  4G169FB15 ,  4G169FB27 ,  4G169FB29 ,  4G169FB41 ,  4G169FC02 ,  4G169FC04 ,  4G169FC08 ,  4G169FC10 ,  4J002CE001 ,  4J002DB006 ,  4J002FA086 ,  4J002FD116 ,  4J002GD00 ,  4J002GQ00 ,  4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BD02 ,  4J032CG01 ,  4K011AA23 ,  4K011AA29 ,  4K011BA04 ,  4K011BA06 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DB43 ,  4K021DB53 ,  4K021DC01 ,  4K021DC03
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 電極の作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-240047   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
引用文献:
審査官引用 (1件)
  • A H2-evolving photocathode based on directsensitization of MoS3 with an organic photovoltaic cell

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