特許

J-GLOBAL ID：202303015856679929

縦型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： 大森 雅登 ,  大川 峰司 ,  喜田 弘文
出願人/特許権者： 国立大学法人 大分大学 ,  株式会社ミライズテクノロジーズ ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-037878
公開番号（公開出願番号）：特開2023-132513
出願日： 2022年03月11日
公開日（公表日）： 2023年09月22日
要約：

【課題】GaNの縦型バイポーラトランジスタを提供する。 【解決手段】縦型バイポーラトランジスタは、n型の第1GaN層と、第1GaN層の上面に配置されているp型の第2GaN層と、第2GaN層の上面に配置されているn型の第3GaN層と、第3GaN層の上面に配置されているp型の第4GaN層と、を備える。縦型バイポーラトランジスタは、第1GaN層の下方側に配置されている第1電極と、第3GaN層の上面に配置されている第2電極と、第4GaN層の上面に配置されている第3電極と、を備える。第2電極と第3電極との間に電圧を印加することによって、第3GaN層と第4GaN層との界面を発光させることが可能に構成されている。界面が発光することに応じて、第1電極と第2電極との間に電流経路を形成することが可能に構成されている。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型の第1GaN層と、 前記第1GaN層の上面に配置されているp型の第2GaN層と、 前記第2GaN層の上面に配置されているn型の第3GaN層と、 前記第3GaN層の上面に配置されているp型の第4GaN層と、 前記第1GaN層の下方側に配置されている第1電極と、 前記第3GaN層の上面に配置されている第2電極と、 前記第4GaN層の上面に配置されている第3電極と、 を備える縦型バイポーラトランジスタであって、 前記第2電極と前記第3電極との間に電圧を印加することによって、前記第3GaN層と前記第4GaN層との界面を発光させることが可能に構成されており、 前記界面が発光することに応じて、前記第1電極と前記第2電極との間に電流経路を形成することが可能に構成されている、縦型バイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 33/14 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/14 ,  H01L33/32

Fターム (9件)：

5F241AA21 ,  5F241CA04 ,  5F241CA12 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CB11 ,  5F241CB32

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第4465890号明細書