特許

J-GLOBAL ID：202303019597198904

積層構造体、及び積層構造体の製造方法

発明者： 佐々木 公平 ,  名倉 宙志 ,  松前 貴司 ,  高木 秀樹 ,  日暮 栄治 ,  倉島 優一 ,  三井田 高
出願人/特許権者： 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー ,  株式会社イオンテクノセンター ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 弁理士法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-163411
公開番号（公開出願番号）：特開2023-054515
出願日： 2021年10月04日
公開日（公表日）： 2023年04月14日
要約：

【課題】酸化ガリウム系半導体基板にSi膜が積層された積層構造体の製造方法であって、スマートカットによりSi基板からSi膜を精度よく分離することができる積層構造体の製造方法、及びその製造方法により製造された積層構造体を提供する。 【解決手段】一実施の形態として、Si基板12の一方の主面121から所定の深さの位置に水素イオンをイオン注入して、面状のイオン注入領域122を形成する、イオン注入工程と、Si基板12の一方の主面121と、(001)面を主面とする酸化ガリウム系半導体基板10の一方の主面101とを接合する、基板接合工程と、350°C以上、450°C以下の温度の熱処理を施すことにより、イオン注入領域122において水素脆化を生じさせて、Si基板12を分割し、酸化ガリウム系半導体基板10の一方の主面101上にSi膜11を残す、Si膜形成工程と、を含む、積層構造体1の製造方法を提供する。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Si基板の一方の主面から所定の深さの位置に水素イオンをイオン注入して、面状のイオン注入領域を形成する、イオン注入工程と、 前記Si基板の前記一方の主面と、(001)面を主面とする酸化ガリウム系半導体基板の一方の主面とを接合する、基板接合工程と、 350°C以上、450°C以下の温度の熱処理を施すことにより、前記イオン注入領域において水素脆化を生じさせて、前記Si基板を分割し、前記酸化ガリウム系半導体基板の前記一方の主面上にSi膜を残す、Si膜形成工程と、 を含む、積層構造体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L27/12 B

Fターム (4件)：

5F152LP07 ,  5F152MM03 ,  5F152NN12 ,  5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第6873516号公報