特許

J-GLOBAL ID：202303020429191382

磁気素子

発明者： 金澤 直也 ,  大塚 悠介 ,  堀 智洋 ,  平山 元昭 ,  十倉 好紀 ,  ▲塚崎▼ 敦 ,  藤原 宏平
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 弁理士法人ドライト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-177723
公開番号（公開出願番号）：特開2023-126707
出願日： 2022年11月04日
公開日（公表日）： 2023年09月08日
要約：

【課題】安価で低毒性の元素からなる化合物において、磁化状態の電気的制御を可能とする。 【解決手段】磁気素子100は、基板10と、基板10上に積層され、表面が物質内部のトポロジーの性質によって自発磁化を発現する強磁性金属状態を示す化合物(例えばFeSi)からなり、面内方向に電流を流すと、スピン蓄積が発生し、表面の磁化が反転可能である非磁性絶縁層20と、非磁性絶縁層20上に積層され、絶縁体(例えばMgO)からなるキャップ層30と、を備える。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に積層され、表面が物質内部のトポロジーの性質によって自発磁化を発現する強磁性金属状態を示す化合物からなり、面内方向に電流を流すと、スピン蓄積が発生し、前記表面の磁化が反転可能である非磁性絶縁層と、 を備える磁気素子。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H10N 52/85 ,  H10B 61/00 ,  H01F 10/30

FI (4件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/105 447 ,  H01F10/30

Fターム (16件)：

4M119AA11 ,  4M119AA20 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD08 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5F092AA07 ,  5F092AA12 ,  5F092AB06 ,  5F092AC26 ,  5F092AD25 ,  5F092BB53 ,  5F092BD12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第2018/179961号