研究者
J-GLOBAL ID:202401021360337653   更新日: 2024年11月20日

日比野 浩樹

ヒビノ ヒロキ | Hibino Hiroki
所属機関・部署:
職名: 教授
競争的資金等の研究課題 (18件):
  • 2020 - 2025 極限単一アト秒パルス分光法で拓くペタヘルツスケール光物性
  • 2021 - 2024 結晶成長による2Dヘテロ構造のデザイン
  • 2021 - 2024 自己触媒成長技術によるシリコン基板上新規ナノワイヤ構造・レーザーデバイスの創出
  • 2020 - 2024 ペタヘルツスピントロニクスの創出
  • 2019 - 2022 グラフェンを利用した窒化物自立基板の開発
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論文 (228件):
  • Shengnan Wang, Jack Crowther, Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Yoshitaka Taniyasu. Epitaxial Intercalation Growth of hBN/Graphene Bilayer Heterostructure on Commercial Copper Foil. Chemistry of Materials. 2024
  • Yoshikazu Kawai, Takuto Nakao, Takato Oda, Noboru Ohtani, Hiroki Hibino. Influence of substrate sapphire orientation on direct CVD growth of graphene. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
  • Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, Hiroki Hibino. Core-level photoelectron spectroscopy study on the buffer-layer formed in approximately atmospheric pressure argon on n-type and semi-insulating SiC(0001). Surface Science. 2023
  • Yoshiaki Sekine, Katsuya Oguri, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Yoshitaka Taniyasu. Polarized Raman scattering spectroscopy of array of embedded graphene ribbons grown on 4H-SiC(0001). Applied Physics Express. 2023
  • Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima. Carbonization-driven motion of Si islands on epitaxial graphene. Physical Review Materials. 2023
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MISC (1件):
  • Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, Hiroki Hibino. Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2011. 1283. 40-45
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