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J-GLOBAL ID：202402228175431340   整理番号：24A2219781

抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の汎用コンパクトモデル【JST機械翻訳】

A versatile compact model of resistive random-access memory (RRAM)

著者 (4件)： Tung Chien-Ting (University of California, Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Kumar Dabhi Chetan (University of California, Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Salahuddin Sayeef (University of California, Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Hu Chenming (University of California, Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 220  ページ： Null  発行年： 2024年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物-RRAM(OxRAM)や導電性ブリッジ-RRAM(CBRAM)のような異なるタイプのRRAMデバイスをモデル化できる抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)用の汎用コンパクトモデルを示した。モデルは,これらのRRAMのスイッチング機構を単一フレームワークに統一する。発表されている実験装置のDCと種々のRRAM構造の過渡特性を再現する際のモデルの精度を示した。また,RRAM変動性の捕捉と1T1R回路シミュレーションの実行におけるモデルの有効性を実証した。Copyright 2024 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST機械翻訳】

シソーラス用語： *過渡応答 ,  スイッチング ,  構造 ,  酸化物 ,  有効性 ,  導電性 ,  回路シミュレーション ,  *抵抗変化メモリ ,  導電性ブリッジ型RAM
準シソーラス用語： *コンパクトモデル ,  *ReRAM ,  メモリスタ ,  CB-RAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： コンパクトモデル ,  記憶 ,  RRAM ,  OxRAM ,  CBRAM ,  メモリスタ ,  BSIM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  RRAM ,  汎用 ,  コンパクトモデル