特許

J-GLOBAL ID：202403016067830551

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 松本 竜弥 ,  寅丸 雅光 ,  神 好人 ,  岩谷 素顕 ,  岩山 章 ,  薮谷 歩武
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所 ,  学校法人 名城大学
代理人 (1件)： 弁理士法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-133704
公開番号（公開出願番号）：特開2024-030667
出願日： 2022年08月25日
公開日（公表日）： 2024年03月07日
要約：

【課題】半導体レーザの性能を向上する。 【解決手段】UV-B半導体レーザにおいて、光の射出面とは反対側の端面400aと直接接触する窓層500と、窓層500上に設けられた多層膜600とを有するように反射膜700を構成し、端面400aがAlGaNから構成された面であり、窓層500を酸化アルミニウム膜から構成する。 【選択図】図5

請求項（抜粋）：

紫外領域に含まれる波長域の光を射出する半導体レーザであって、 前記光の射出面とは反対側の端面と直接接触する第1窓層と、 前記第1窓層上に設けられた第1多層膜と、 を備え、 前記端面は、AlGaNから構成された面であり、 前記第1窓層は、酸化アルミニウム膜である、半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S5/028 ,  H01S5/343 610

Fターム (8件)：

5F173AH22 ,  5F173AK22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AL12 ,  5F173AP78 ,  5F173AP87 ,  5F173AR23