特許

J-GLOBAL ID：202403016801702496

窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 岩谷 素顕 ,  岩山 章 ,  長谷川 亮太 ,  西林 到真 ,  松原 衣里
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学
代理人 (1件)： 弁理士法人グランダム特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-131505
公開番号（公開出願番号）：特開2024-029315
出願日： 2022年08月22日
公開日（公表日）： 2024年03月06日
要約：

【課題】結晶にダメージが生じ難い窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体発光素子の製造方法は、第2AlN層11の表面にu-AlGaN層12Aを結晶成長させつつ、複数の空間Voを形成するボイド形成工程と、エッチング液を空間Voに浸透させて、第2AlN層11の凸部11A、及び凸部11Aの外周面を覆うu-AlGaN層12Aを溶解する溶解工程と、第2AlN層11からu-AlGaN層12Aを剥離する剥離工程と、を備える。 【選択図】図6

請求項（抜粋）：

下地層の表面に上層を結晶成長させつつ、複数のボイドを形成するボイド形成工程と、 エッチング液を前記ボイドに浸透させて、前記下地層、及び前記上層を溶解する溶解工程と、 前記下地層から前記上層を剥離する剥離工程と、 を備える窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C30B 33/10

FI (3件)：

C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  C30B33/10

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FG06 ,  4G077FG13 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01