特許
J-GLOBAL ID：202403021121232740
面発光半導体レーザ素子の製造方法及び面発光半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
吉田 雅比呂
, 高野 信司
, デロイトトーマツ弁理士法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-055375
公開番号（公開出願番号）：特開2024-142951
出願日： 2023年03月30日
公開日（公表日）： 2024年10月11日
要約：
【課題】空孔層と活性層とを近接させ共振効果を高くすることが可能であり、かつ、高品質の活性層を有し、低閾値かつ高効率の面発光半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)基板上にホール形成準備層を形成し、(b)ホール形成準備層に、格子点の各々に2次元的に配置されたホールを形成して、ホール形成層を形成し、(c)ホールを閉塞するファセット成長を行って第1の埋込層を形成し、(d)第1の埋込層を平坦に埋め込む第2の埋込層の成長を行ってホールに対応する空孔を有する空孔層を形成し、(e)水素雰囲気におけるアニールにより第2の埋込層の平坦エッチングを行い、(f)平坦エッチングされた第2の埋込層上に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う。
【選択図】図3
請求項（抜粋）：
面発光半導体レーザ素子の製造方法であって、
(a)基板上にホール形成準備層を形成し、
(b)前記ホール形成準備層に、格子点の各々に2次元的に配置されたホールを形成して、ホール形成層を形成し、
(c)前記ホールを閉塞するファセット成長を行って第1の埋込層を形成し、
(d)前記第1の埋込層を平坦に埋め込む第2の埋込層の成長を行って前記ホールに対応する空孔を有する空孔層を形成し、
(e)水素雰囲気におけるアニールにより前記第2の埋込層の平坦エッチングを行い、
(f)前記平坦エッチングされた前記第2の埋込層上に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う、製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/185
, H01S 5/343
, H01S 5/11
H01S5/185
, H01S5/343 610
, H01S5/11
5F173AB53
, 5F173AB90
, 5F173AH22
, 5F173AK08
, 5F173AK20
, 5F173AL07
, 5F173AL13
, 5F173AL14
, 5F173AP05
, 5F173AP17
, 5F173AP33
, 5F173AP37
, 5F173AP42
, 5F173AP62
, 5F173AR23
